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晶体管
RFD12N06RLESM9A参考图片

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RFD12N06RLESM9A

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库存:20,489(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.7065
57.065
100
¥4.3844
438.44
500
¥3.8759
1937.95
1,000
¥3.0623
3062.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
49 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
RFD12N06RLESM
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
37 ns, 50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
89 ns, 34 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 41 ns
典型接通延迟时间
13 ns, 5.3 ns
零件号别名
RFD12N06RLESM9A_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN PNP 30V 1.5A 5PIN
1:¥3.616
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:6222
晶体管
IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.8256
1,000:¥11.2209
2,000:查看
参考库存:9284
晶体管
MOSFET 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
3,000:¥1.243
6,000:查看
参考库存:51121
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.4526
参考库存:21883
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 20MA
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:339270
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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