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晶体管
APT75GP120JDQ3参考图片

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APT75GP120JDQ3

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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库存:4,481(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥336.175
336.175
2
¥327.0333
654.0666
5
¥318.0385
1590.1925
10
¥308.8968
3088.968
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
在25 C的连续集电极电流
128 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
543 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
1:¥10.5994
10:¥8.9948
100:¥6.9608
500:¥6.1585
2,500:¥4.3053
10,000:查看
参考库存:104014
晶体管
达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.58421
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.31527
参考库存:173751
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥8.5315
10:¥7.5484
100:¥5.9664
500:¥4.6217
1,000:¥3.6499
3,000:¥3.3109
参考库存:10938
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicn AF/SWITCH TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
10,000:¥0.49946
20,000:查看
参考库存:15800
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥128.2437
10:¥116.4917
25:¥107.802
50:¥101.9712
参考库存:2712
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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