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晶体管
TP2520N8-G参考图片

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TP2520N8-G

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库存:13,744(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9892
9.9892
10
¥9.831
98.31
25
¥8.2942
207.355
100
¥7.5145
751.45
2,000
¥5.1867
10373.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
260 mA
Rds On-漏源导通电阻
12 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
2.6 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
52.800 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET P-Channel
112:¥58.7826
500:¥53.562
1,000:¥46.6464
参考库存:47596
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PMP4501QAS/SOT1216/DFN1010B-6
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
参考库存:27259
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.5259
500:¥8.3733
参考库存:47603
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.1697
500:¥3.4465
参考库存:47608
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.1472
10:¥5.1415
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
2,500:¥2.6555
参考库存:19771
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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