DRDNB16W-7原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
集电极—发射极最大电压 VCEO	18 V
集电极连续电流	600 mA
峰值直流集电极电流	600 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DRDNB16
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI2343DS-T1-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V	1:¥5.2206 10:¥4.2262 3,000:¥4.2262	参考库存:59785
FCP9N60N	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SupreMOS 9A	1:¥16.9048 10:¥14.3736 100:¥11.4469 500:¥10.0683	参考库存:6497
FDMA520PZ	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET	1:¥5.0737 10:¥4.2714 100:¥2.7572 1,000:¥2.2035 3,000:¥1.8645	参考库存:26789
FDD6530A	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V N-Ch PowerTrench	1:¥7.1416 10:¥6.1246 100:¥4.7008 500:¥4.1584 2,500:¥2.9154 10,000:查看	参考库存:35291
STU1HN60K3	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 6.4 Ohm 1.2A SuperMesh3 IPAK	1:¥7.5258 10:¥6.3958 100:¥4.9155 500:¥4.3392	参考库存:16568