DRDNB16W-7原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
集电极—发射极最大电压 VCEO	18 V
集电极连续电流	600 mA
峰值直流集电极电流	600 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DRDNB16
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
QSZ2TR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN PNP 30V 1.5A 5PIN	1:¥3.616 10:¥2.938 100:¥1.7967 1,000:¥1.3899 3,000:¥1.1865	参考库存:6222
IKB20N60H3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT	1:¥21.2101 10:¥18.0574 100:¥15.6731 250:¥14.8256 1,000:¥11.2209 2,000:查看	参考库存:9284
SIA918EDJ-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70	1:¥3.842 10:¥2.8928 100:¥2.147 500:¥1.7628 3,000:¥1.243 6,000:查看	参考库存:51121
IRG4BH20K-SPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT	1:¥20.9728 10:¥17.8314 100:¥14.2945 500:¥12.4526	参考库存:21883
SST3904T116	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 20MA	1:¥2.6894 10:¥1.7967 100:¥0.75258 1,000:¥0.51528 3,000:¥0.40002	参考库存:339270