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晶体管
IKW60N60H3参考图片

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IKW60N60H3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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库存:6,678(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥65.314
65.314
10
¥59.0086
590.086
25
¥56.2514
1406.285
100
¥48.8725
4887.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW60N60H3FKSA1 IKW6N6H3XK SP000919762
单位重量
6.067 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:22789
晶体管
MOSFET 60V P-Ch PowerTrench Integrated
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.6557
500:¥5.876
1,000:¥4.6443
2,500:¥4.6443
参考库存:25911
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
2,500:¥8.5315
5,000:查看
参考库存:7673
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥10.7576
10:¥8.8366
100:¥6.78
参考库存:20225
晶体管
MOSFET PFET SPCL TR
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:500312
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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