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晶体管
SI2300DS-T1-GE3参考图片

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SI2300DS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 12V Vgs SOT-23
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库存：179,172(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.8645
186.45
500
¥1.5255
762.75
1,000
¥1.1865
1186.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
Rds On-漏源导通电阻
68 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI2300DS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SCTWA30N120
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
600:¥148.5272
参考库存:44841
SQM100N04-2M7_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified
1:¥18.5998
10:¥15.4471
100:¥11.9893
500:¥10.4525
800:¥8.6784
参考库存:44846
IPP041N12N3GXK
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
500:¥26.8149
1,000:¥22.5887
2,500:¥21.5152
参考库存:44851
DMG964030R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:44856
DMTH6016LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
3,000:¥2.1244
9,000:¥2.0453
24,000:¥1.9662
45,000:¥1.9323
参考库存:44861

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    50万现货SKU

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