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晶体管
IRF6795MTRPBF参考图片

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IRF6795MTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
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库存:25,353(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2264
4113.2
4,800
¥6.1585
29560.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-MX
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
11 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001529342
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
1:¥3,146.7562
参考库存:4720
晶体管
MOSFET 100V 60A 104W 14mohm @ 10V
1:¥24.5097
10:¥20.2835
100:¥16.6788
250:¥16.2155
500:¥14.5205
3,000:¥14.5205
参考库存:25457
晶体管
MOSFET 40V StrongIRFET 195A,1.6mOhm,216nC
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
800:¥9.6841
2,400:¥9.605
参考库存:27194
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,342.553
5:¥1,312.6532
10:¥1,285.8383
25:¥1,266.8656
150:¥1,220.9085
参考库存:6056
晶体管
JFET SS SOT23 JFET PCH 30
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5368
参考库存:22118
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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