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晶体管
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CSD25404Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V Pch MOSFET
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库存：36,928(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.3733
8.3733
10
¥7.1416
71.416
100
¥5.4918
549.18
500
¥4.8477
2423.85
2,500
¥3.4013
8503.25
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
104 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
10.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD25404Q3
晶体管类型
1 P-Channel Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA104501EH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥2,955.8088
参考库存:36509
STL220N6F7
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 260 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:1904
2N5794U
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥411.8624
参考库存:36516
2N5322
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100Vcbo 100Vcev 2A 75Vceo 6.0Vebo 10W
1:¥22.5096
10:¥20.1366
100:¥18.3625
250:¥16.5206
参考库存:5576
NVMFS5C646NLWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 60V S08FL
5,000:¥3.8759
10,000:¥3.729
25,000:¥3.616
参考库存:36523

  • 海量现货

    50万现货SKU

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