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晶体管
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ZXTN26020DMFTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V Bipolar 1.5A Ic 380mw
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36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
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3,000
¥1.4577
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN1411-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
290 mV
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
260 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN260
直流电流增益 hFE 最大值
1000 at 100 mA, 2 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 100 mA, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVD5863NLT4G-VF01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 73A 8.2MOHM
2,500:¥3.3787
10,000:¥3.2544
25,000:¥3.1414
参考库存:15367
APT80GP60JDQ3
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥294.8396
参考库存:2934
BCX23
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP AMPL/SWITCH 125Vcbo 125Vceo 5.0
1:¥55.3248
10:¥54.7824
25:¥49.946
100:¥45.1096
参考库存:3031
BUK662R4-40C,118
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET
1:¥13.221
10:¥11.30
100:¥8.9948
500:¥7.91
800:¥6.5201
参考库存:26873
AUIRFSL8403
Infineon / IR
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 2.6mOhm 123A
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
参考库存:7875

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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