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晶体管
RSD201N10TL参考图片

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RSD201N10TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
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库存:8,168(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.91
7.91
10
¥6.7348
67.348
100
¥5.1754
517.54
500
¥4.5765
2288.25
2,500
¥3.2092
8023
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RSD201N10
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
100 ns
零件号别名
RSD201N10
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9947
500:¥6.1811
1,000:¥4.8816
2,500:¥4.8816
参考库存:6543
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:29770
晶体管
MOSFET N-CH/600V 3A/3.6OHM
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
参考库存:21667
晶体管
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3111
800:¥7.3111
参考库存:7389
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 12A 30V
1:¥4.6104
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6498
参考库存:19816
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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