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晶体管
DDTD122TC-7-F参考图片

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DDTD122TC-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K
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库存:202,110(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5255
15.255
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43844
438.44
3,000
¥0.33787
1013.61
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
220 Ohms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
56
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极连续电流
500 mA
峰值直流集电极电流
500 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTD122
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 10KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:18264
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.8419
10:¥1.695
100:¥1.08367
1,000:¥0.3616
4,000:¥0.29945
8,000:查看
参考库存:93551
晶体管
MOSFET 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:18818
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥40.0359
10:¥34.0356
100:¥29.5043
250:¥27.9675
参考库存:6750
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 300V
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:20787
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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