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晶体管
CSD16321Q5参考图片

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CSD16321Q5

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
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库存:106,768(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2094
3604.7
2,500
¥5.5596
13899
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
113 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16321Q5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
150 S
开发套件
TPS51218EVM-49, TPS40304EVM-353
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
117.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
1:¥3.616
10:¥3.051
100:¥1.8645
1,000:¥1.4351
3,000:¥1.4125
参考库存:22787
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A
1:¥6.1472
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
4,000:¥2.2035
参考库存:91039
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.6838
10:¥2.8137
100:¥1.5255
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
9,000:¥0.92208
参考库存:17111
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-WLB1015-6 T&R 3K
1:¥3.4578
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
参考库存:47987
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:142193
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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