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晶体管
FQP2P40-F080参考图片

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FQP2P40-F080

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库存:7,470(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6501
76.501
100
¥5.876
587.6
500
¥5.198
2599
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
- 10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
501 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP2P40
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.42 S
开发套件
-
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
FQP2P40_F080
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
2,000:¥2.1244
参考库存:56809
晶体管
SCR Silicon Controlled Rectifier
1:¥3.1527
10:¥2.1018
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
2,000:¥0.52206
参考库存:47153
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
1:¥66.8508
10:¥60.1612
25:¥54.7824
50:¥51.0195
参考库存:47158
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
2,500:¥3.4013
参考库存:31821
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥14.5205
10:¥12.3735
100:¥9.831
500:¥8.6106
2,500:¥6.6896
5,000:查看
参考库存:19323
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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