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晶体管
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BSP125 H6327

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数量单价合计
1
¥5.9212
5.9212
10
¥4.9155
49.155
100
¥3.1753
317.53
1,000
¥2.5425
2542.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
120 mA
Rds On-漏源导通电阻
25 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP125
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
60 mS
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
7.7 ns
零件号别名
BSP125H6327XTSA1 SP001058576
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPC6011(TE85L,F,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 6A 2.2W 640pF
暂无价格
参考库存:50824
JAN2N918UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥216.3046
250:¥198.4732
参考库存:50829
JANTXV2N6385
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥591.1256
参考库存:50834
2N3500U4/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥714.0018
参考库存:50839
JAN2N6283
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥541.8802
5:¥519.0542
10:¥509.9916
25:¥478.103
参考库存:50844

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