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FGD3040G2-F085

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数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0964
3548.2
2,500
¥5.4692
13673
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—射极饱和电压
1.15 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
23.2 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
FGD3040G2_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
FGD3040G2_F085
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC0910NDI
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET TRANSITIONAL MOSFETS
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
5,000:¥6.8026
10,000:查看
参考库存:2166
SIHF30N60E-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥47.3357
10:¥39.1884
100:¥32.2728
250:¥31.2784
参考库存:28154
R6009ENX
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:4468
TIP36C
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur Power
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.4525
500:¥9.1417
参考库存:17740
IRFB3607PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
1:¥7.0738
10:¥5.8986
100:¥3.8081
1,000:¥3.0397
参考库存:13627

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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