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晶体管
RGW00TK65DGVC11参考图片

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RGW00TK65DGVC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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库存:4,344(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.7934
48.7934
10
¥41.4936
414.936
100
¥35.9566
3595.66
250
¥34.1147
8528.675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PFM
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
Pd-功率耗散
89 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
45 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:50899
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010GN/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:50904
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5484
500:¥6.667
2,500:¥4.6669
10,000:查看
参考库存:50909
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BBG ECL LOW PWER VCO
1,000:¥46.1831
2,000:¥44.4881
参考库存:50914
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
34:¥104.7284
50:¥99.0445
100:¥95.5867
250:¥87.2925
参考库存:50919
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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