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晶体管
IKB10N60TATMA1参考图片

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IKB10N60TATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
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库存:10,450(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.4472
17.4472
10
¥14.8256
148.256
100
¥11.9102
1191.02
500
¥10.3734
5186.7
1,000
¥8.6106
8610.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB10N60T IKB1N6TXT SP000014833
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS Gen3 Trench IGBT
1:¥42.3411
10:¥36.0357
100:¥31.1993
250:¥29.5834
参考库存:9456
晶体管
达林顿晶体管 BIP DPAK PNP 8A 100V
1:¥6.3732
10:¥5.2771
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.3052
参考库存:21058
晶体管
MOSFET T6 60V S08FL SINGLE
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
1,500:¥2.0001
参考库存:25965
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:4372
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥29.5043
10:¥24.4306
100:¥20.1366
250:¥19.5151
500:¥17.515
参考库存:8584
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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