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晶体管
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STGD10HF60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
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数量单价合计
1
¥14.5205
14.5205
10
¥12.3735
123.735
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
2,500
¥6.6896
16724
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.75 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
18 A
Pd-功率耗散
62.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD10HF60KD
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS2N2905AL/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥570.0737
100:¥558.0844
参考库存:52130
MX2N4092
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥617.2512
参考库存:52135
ALD910018SALI
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V
50:¥27.2782
100:¥25.5154
250:¥23.052
500:¥20.6677
参考库存:52140
JAN2N2218/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
213:¥40.7252
250:¥36.8041
500:¥33.0412
1,000:¥27.8206
参考库存:52145
IRLI620G
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLI620GPBF
1,000:¥16.5997
3,000:¥15.7522
5,000:¥15.2098
参考库存:52150

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    50万现货SKU

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