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晶体管
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KSD1616ALTA

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0227
20.227
100
¥0.86784
86.784
1,000
¥0.66896
668.96
2,000
¥0.50737
1014.74
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3 Kinked Lead
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
160 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSD1616A
直流电流增益 hFE 最大值
600
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Ammo Pack
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
135
Pd-功率耗散
750 mW (3/4 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
240 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRG4BC30W-SPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.7522
250:¥14.9047
参考库存:2811
J211
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel
1:¥22.5887
10:¥18.1365
100:¥14.9047
500:¥13.3679
参考库存:45245
FF1200R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1700V 1200A DUAL
1:¥7,771.7558
参考库存:45250
0910-60M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,552.0824
25:¥2,517.1202
参考库存:45255
PMN27UPH
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V 5.7A P-channel Trench MOSFET
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.9605
24,000:¥0.88366
45,000:¥0.85315
99,000:¥0.81473
参考库存:45260

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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