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晶体管
CDM22010-650 SL参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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CDM22010-650 SL

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 10A PFC FET 650V 8.0nC 0.88Ohm
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库存:4,656(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥13.0628
130.628
100
¥10.4525
1045.25
500
¥9.2208
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
880 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
CDM
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Central Semiconductor
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.1809
1,000:¥1.695
3,000:¥1.4464
参考库存:69368
晶体管
MOSFET 100V P-Chnl UMOS
1:¥11.9893
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.1303
1,000:¥5.9099
参考库存:29955
晶体管
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
3,000:¥5.537
参考库存:94167
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
5,000:¥2.8928
10,000:查看
参考库存:27904
晶体管
MOSFET 650V SUPER FET
1:¥54.1722
10:¥48.9516
25:¥46.6464
100:¥40.4992
参考库存:30528
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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