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晶体管
FP100R06KE3参考图片

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FP100R06KE3

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库存:4,912(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥991.8462
991.8462
5
¥972.4102
4862.051
10
¥927.0746
9270.746
25
¥907.5595
22688.9875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
335 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP100R06KE3BOSA1 SP000091925
单位重量
300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 AF Trans Darlington PNP 60V 0.5A
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:270054
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥283.6978
5:¥270.9401
10:¥262.4877
25:¥241.1985
参考库存:4731
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥497.539
5:¥482.4761
10:¥468.2607
25:¥439.0615
参考库存:4533
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:41110
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥14.2154
500:¥12.4526
1,000:¥10.2943
5,000:¥10.2943
参考库存:130592
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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