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晶体管
DMN4031SSD-13参考图片

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DMN4031SSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 SO-8,2.5K
  • 数据手册下载
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8194
38.194
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.7967
1796.7
2,500
¥1.5368
3842
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
31 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.42 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN40
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
3.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.8 ns
典型接通延迟时间
6.4 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJH60A85RDPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥24.6679
10:¥22.0576
25:¥19.8202
50:¥18.984
参考库存:47446
BC817-25W RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥2.0001
10:¥1.8419
100:¥1.1978
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.32996
参考库存:47451
FD900R12IP4DV
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,866.973
5:¥3,633.9896
参考库存:47456
SMPJ230
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 3.0mA 20Vds -30Vgs
705:¥9.605
1,000:¥7.91
2,500:¥7.0964
10,000:¥6.8252
参考库存:47461
APTGT150A60T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥506.8389
5:¥491.55
10:¥477.0973
25:¥447.2879
参考库存:47466

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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