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晶体管
ZXTN19020DFFTA参考图片

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ZXTN19020DFFTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V HIGH GAIN
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库存:18,879(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.9212
5.9212
10
¥4.9607
49.607
100
¥3.1979
319.79
1,000
¥2.5538
2553.8
3,000
¥2.5538
7661.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
70 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
190 mV
最大直流电集电极电流
6.5 A
增益带宽产品fT
160 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN19020
直流电流增益 hFE 最大值
900
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
300
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:152706
晶体管
MOSFET 500v QFET
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥15.142
250:¥14.3736
参考库存:5288
晶体管
MOSFET 30V P channel MOSFET
1:¥4.5313
10:¥3.5369
100:¥2.4408
500:¥1.6724
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:8280
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 16A
1:¥140.1539
10:¥128.8652
25:¥123.5542
100:¥108.8868
参考库存:4937
晶体管
MOSFET 800V, 5.5A, Single N Channel Power MOSFET
1:¥17.289
10:¥15.594
100:¥12.5995
500:¥9.831
参考库存:24834
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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