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晶体管
ZXTP25012EFHTA参考图片

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ZXTP25012EFHTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 12V HIGH GAIN
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库存:23,447(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.6273
36.273
100
¥2.3391
233.91
1,000
¥1.8758
1875.8
3,000
¥1.8758
5627.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
310 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTP250
直流电流增益 hFE 最大值
500 at 10 mA, 2 V
高度
1.02 mm
长度
3.04 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
500 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 50 at 4 A, 2 V
Pd-功率耗散
1810 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8702
参考库存:11228
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
4,000:¥2.0792
参考库存:21315
晶体管
MOSFET 100V 190A 3.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥38.1149
10:¥32.3519
100:¥28.0466
250:¥26.5889
800:¥20.1366
2,400:查看
参考库存:7077
晶体管
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.215
500:¥5.4918
1,000:¥4.3392
参考库存:10369
晶体管
MOSFET 150V NCHAN PwrTrench
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
参考库存:7656
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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