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晶体管
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2N6039G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
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数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.6443
46.443
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3956
2395.6
2,500
¥2.147
5367.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225AA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6039
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
15000
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 500, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN10H170SVTQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
10,000:¥1.4577
参考库存:28939
PEMB30,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
4,000:¥0.46104
8,000:¥0.39211
24,000:¥0.36838
48,000:¥0.34578
100,000:¥0.29945
参考库存:28944
ZXTP01500BGTC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500V PNP HiPerf Transistor
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
4,000:¥1.2656
参考库存:25504
RS1E130GNTB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5594
2,500:¥1.3334
参考库存:17026
STB25NM60ND
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
1:¥53.7089
10:¥48.5674
25:¥46.2622
100:¥40.1828
1,000:¥30.51
参考库存:15528

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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