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晶体管
TGF2018参考图片

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TGF2018

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
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库存:4,042(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥44.7932
4479.32
300
¥41.8778
12563.34
500
¥39.1093
19554.65
1,000
¥36.5781
36578.1
2,500
¥36.4199
91049.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
14 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
58 mA
最大漏极/栅极电压
12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
640 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
70 mS
NF—噪声系数
1 dB
P1dB - 压缩点
22 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098412
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A Dual
1:¥501.6861
5:¥492.4653
10:¥472.1027
25:¥457.3562
参考库存:1896
晶体管
MOSFET 30V 2.1A N-Channel
1:¥3.5369
10:¥2.7007
100:¥1.469
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
9,000:¥0.88366
参考库存:261103
晶体管
MOSFET N-Channel 600V 4A
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3788
500:¥4.7573
1,000:¥3.7516
2,500:¥3.7516
参考库存:22145
晶体管
MOSFET 40V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
2,500:¥2.2713
参考库存:77612
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.9156
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.729
1,000:¥3.5256
3,000:¥3.2657
参考库存:159269
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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