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晶体管
APT150GT120JR参考图片

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APT150GT120JR

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
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库存:3,680(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥405.105
405.105
2
¥394.1101
788.2202
5
¥383.2056
1916.028
10
¥372.2898
3722.898
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
170 A
栅极—射极漏泄电流
900 nA
Pd-功率耗散
830 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥5.2206
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:28981
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥1.8419
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
2,000:¥0.27685
参考库存:50478
晶体管
MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:43290
晶体管
达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP
1:¥6.8365
10:¥5.6839
100:¥3.6612
1,000:¥2.938
参考库存:7452
晶体管
JFET NCH J-FET+BIP NPN TR
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:15884
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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