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晶体管
FQP6N60C参考图片

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FQP6N60C

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库存:5,999(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9893
119.893
100
¥9.605
960.5
500
¥8.3733
4186.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP6N60C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4.8 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQP6N60C_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET1200V14A280m OhmSiliconCarbideSiC
1:¥76.9191
10:¥69.5402
25:¥66.3084
100:¥57.5509
250:¥54.9406
参考库存:7746
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.7412
500:¥19.5151
参考库存:5683
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:109050
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:10487
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 8A 80V TR
1:¥7.1416
10:¥5.989
100:¥3.842
1,000:¥3.0736
1,800:¥2.6103
参考库存:6454
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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