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晶体管
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HUFA76409D3ST

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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.763
57.63
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.9211
1960.55
2,500
¥2.7459
6864.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
49 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
UltraFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
HUFA76409D3ST
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥397.9521
参考库存:37994
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥461.266
参考库存:37999
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:38004
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Trans 450Vcbo 400Vceo 1.2W
2,000:¥3.0623
10,000:¥2.9606
25,000:¥2.8589
参考库存:902899
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
参考库存:38011
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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