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BSM75GB120DN2

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数量单价合计
1
¥694.3285
694.3285
5
¥681.5708
3407.854
10
¥650.9139
6509.139
25
¥629.1614
15729.035
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
320 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
Half Bridge1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GB120DN2HOSA1 SP000095923
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IFN410
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -40V JFET -0.5 50mA 375mW -0.2Vgs
51:¥140.0748
100:¥128.933
250:¥117.4861
500:¥109.8812
参考库存:40832
TSM80N950CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 800V, 6A, Single N- Channel Power MOSFET
4,000:¥7.5371
5,000:¥7.2546
10,000:¥7.0964
参考库存:40837
CMLT6427E TR
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 SMD Small Signal Transistor NPN
6,000:¥1.07576
9,000:¥0.99892
24,000:¥0.94468
45,000:¥0.92208
99,000:¥0.89157
参考库存:80732
2N4858
Central Semiconductor
晶体管
JFET 40V N-Ch JFET 40Vdg 50mA 360mW
暂无价格
参考库存:40844
PXAC241702FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:40849

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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