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晶体管
GS61008T-E01-MR参考图片

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GS61008T-E01-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 100V 90A E-Mode GaN
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库存：20,112(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥58.3984
58.3984
10
¥56.8616
568.616
25
¥55.3248
1383.12
250
¥52.6354
13158.85
1,000
¥51.1777
51177.7
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.51 mm
长度
4.6 mm
产品
MOSFET
系列
GS6100x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS61008T-E01-MR
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZVN3320FTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Chnl 200V
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:191766
FF300R12KE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 460A
1:¥972.5684
5:¥953.4262
10:¥909.0172
参考库存:3423
DMN65D8LFB-7B
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
2,500:¥0.3616
10,000:¥0.30736
参考库存:132735
STGD5H60DF
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
2,500:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:27297
IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥88.592
10:¥80.1396
25:¥76.3767
100:¥66.3084
参考库存:5799

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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