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晶体管
STGWT80V60F参考图片

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STGWT80V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
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库存:6,144(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥87.6767
87.6767
10
¥79.3034
793.034
25
¥75.6083
1890.2075
100
¥65.6191
6561.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT80V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:10234
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.9155
10:¥4.1245
100:¥2.5199
1,000:¥1.9436
2,500:¥1.6611
参考库存:21486
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP LOW SAT TRAN 40V 1A SCHOTTKY CMBO
3,000:¥2.7685
参考库存:29713
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
参考库存:7993
晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE
1:¥47.6408
10:¥40.4992
100:¥35.1204
250:¥33.2672
参考库存:21485
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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