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晶体管
FGH25T120SMD-F155参考图片

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FGH25T120SMD-F155

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库存:6,291(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.8834
40.8834
10
¥34.7362
347.362
100
¥30.1258
3012.58
250
¥28.589
7147.25
500
¥25.6623
12831.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247G03-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH25T120SMD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH25T120SMD_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
1:¥21.0519
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.6787
参考库存:6544
晶体管
MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,500:¥5.4466
5,000:查看
参考库存:13116
晶体管
MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.8422
参考库存:36743
晶体管
MOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
1:¥6.8365
10:¥6.0116
100:¥4.6669
1,000:¥3.4917
3,000:¥2.9945
参考库存:29790
晶体管
MOSFET 40/20V Nch Power Trench
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4636
500:¥5.7065
2,500:¥4.0002
10,000:查看
参考库存:27832
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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