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晶体管
DMN2005LP4K-7参考图片

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DMN2005LP4K-7

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库存:32,367(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.3956
23.956
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.84524
845.24
3,000
¥0.72207
2166.21
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
530 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN2005
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.6 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
40 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.7 ns
典型接通延迟时间
4.06 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V/75A CK46 IGBT DIE SA
173:¥26.1256
250:¥24.747
500:¥22.2045
1,000:¥18.7467
参考库存:49432
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.2035
3,000:¥2.2035
参考库存:49437
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1,500:¥8.7575
2,000:¥8.1473
5,000:¥7.8422
10,000:¥7.4919
参考库存:49442
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/25A CN34 FAST RECTI
667:¥6.5766
1,000:¥5.1867
2,500:¥4.5991
10,000:¥4.4296
参考库存:49447
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vcbo 40Vceo 625mW 1.5W 100mA
2,500:¥4.8138
参考库存:49452
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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