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晶体管
IGB30N60T参考图片

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IGB30N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
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库存:6,034(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.9785
21.9785
10
¥18.6676
186.676
100
¥16.2155
1621.55
250
¥15.368
3842
1,000
¥11.6051
11605.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB30N60TATMA1 IGB3N6TXT SP000095765
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V P-Channel Power Trench
1:¥6.3732
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
3,000:¥2.5877
9,000:查看
参考库存:119664
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K
1:¥3.842
10:¥3.2318
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
2,000:¥1.2995
参考库存:3406
晶体管
MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
1:¥5.8421
10:¥4.9042
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
2,500:¥2.1357
参考库存:10428
晶体管
MOSFET P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
1:¥6.2263
10:¥5.2206
100:¥3.3674
1,000:¥2.7007
参考库存:7915
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.5A 100V PNP
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
参考库存:51017
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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