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晶体管
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AUIRFR5505

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 110mOhms
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数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.91
791
500
¥7.006
3503
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21.3 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001519564
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6675
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥919.3115
2:¥901.2541
5:¥871.2074
10:¥855.5343
参考库存:53815
NVMFS5C430NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥4.6669
10,000:¥4.4974
参考库存:53820
SP000010759
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
10,000:¥0.1921
40,000:¥0.1921
50,000:¥0.17628
100,000:¥0.15368
参考库存:53825
DRC2123J0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:53830
DRC5144E0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:53835

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