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晶体管
RGT40TS65DGC11参考图片

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RGT40TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 20A IGBT Stop Trench
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库存:3,484(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.1366
20.1366
10
¥17.1308
171.308
100
¥13.673
1367.3
500
¥11.9893
5994.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
144 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT40TS65D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT40TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 55 / 60
1:¥24.2046
10:¥20.5208
100:¥17.8314
250:¥16.9048
800:¥12.7577
2,400:查看
参考库存:7974
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,000:¥2.2148
参考库存:21426
晶体管
MOSFET IFX OPTIMOS
1:¥45.7198
10:¥38.8833
100:¥33.6514
250:¥31.9677
参考库存:9078
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
10:¥561.6213
参考库存:4730
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:5572
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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