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晶体管
IRG4PSH71KDPBF参考图片

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IRG4PSH71KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz
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数量单价合计
1
¥109.1919
109.1919
10
¥100.4344
1004.344
25
¥96.276
2406.9
100
¥84.8291
8482.91
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-274-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.97 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
350 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
78 A
高度
20.3 mm
长度
15.6 mm
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
25
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001547842
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N2221A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
142:¥101.3497
250:¥92.434
500:¥86.445
1,000:¥79.3034
参考库存:55977
SSM3J120TU(TE85L)
Toshiba
晶体管
MOSFET Vds=-20V Id=-4A 3Pin
暂无价格
参考库存:55982
STGW60H65DFB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
1:¥38.42
10:¥32.657
100:¥28.2726
250:¥26.8149
参考库存:9250
JANTX2N3867S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥272.556
250:¥254.4195
参考库存:55989
JAN2N5682
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥231.8986
250:¥212.8468
参考库存:55994

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