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晶体管
KSB546YTU参考图片

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KSB546YTU

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库存:10,867(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.4296
44.296
100
¥2.8589
285.89
1,000
¥2.2939
2293.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 150 V
集电极—基极电压 VCBO
- 200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 1 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
5 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSB546
直流电流增益 hFE 最大值
240
高度
9.4 mm (Max)
长度
10.1 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.7 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416FL 2.2kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:47336
晶体管
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
1:¥6.1472
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
1,500:¥2.2035
参考库存:19308
晶体管
MOSFET N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ
1:¥13.447
10:¥11.0627
100:¥8.5315
500:¥7.2998
1,000:¥5.763
3,000:¥5.763
参考库存:44705
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
参考库存:6937
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
参考库存:4599
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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