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晶体管
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2SK3078A(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
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数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.0738
707.38
500
¥6.2263
3113.15
1,000
¥4.9155
4915.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
500 mA
Vds-漏源极击穿电压
10 V
增益
8 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3078
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
单位重量
50 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXTA42,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.7629
10:¥3.1866
100:¥1.9436
1,000:¥1.5029
2,000:¥1.2882
参考库存:8512
NTBV5605T4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET 60V 18.5A 14MO
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.6614
500:¥6.7687
800:¥6.7687
参考库存:8294
IPW65R037C6FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6
1:¥110.4914
10:¥101.587
25:¥97.3608
100:¥85.7557
参考库存:6066
MMBT4401-G
Comchip Technology
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) VCEO=40V IC=600mA
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.80682
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.39211
参考库存:24448
NTJS3151PT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 12V 3.3A P-Channel
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:49000

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