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晶体管
IPI041N12N3 G参考图片

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IPI041N12N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存：2,886(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.194
38.194
10
¥32.4988
324.988
100
¥28.1257
2812.57
250
¥26.668
6667
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
211 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPI041N12N3GAKSA1 IPI41N12N3GXK SP000652748
单位重量
2.387 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N2906AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥109.8812
200:¥100.1971
500:¥93.7448
1,000:¥85.9817
参考库存:55699
JANTX2N3499/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥76.614
250:¥69.8453
500:¥65.3931
1,000:¥59.9352
参考库存:55704
MV2N4861
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥500.2284
参考库存:55709
RM90N40DF
Rectron
晶体管
MOSFET DFN MOSFET
5,000:¥3.0171
10,000:¥2.7572
25,000:¥2.712
参考库存:55714
2N6048
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥325.3383
250:¥297.3708
参考库存:55719

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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