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晶体管
FQP2N80参考图片

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FQP2N80

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库存:7,625(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.2208
9.2208
10
¥7.8422
78.422
100
¥6.0681
606.81
500
¥5.3675
2683.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
2.4 A
Rds On-漏源导通电阻
6.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP2N80
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2.65 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
FQP2N80_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-CHANNEL
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.7461
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:22818
晶体管
MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:220050
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
1:¥3,903.472
25:¥3,597.4228
参考库存:3327
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 350V 230W NPN
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
参考库存:8634
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 20W NPN
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
1,800:¥1.9775
参考库存:21061
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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