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晶体管
IPP034NE7N3 G参考图片

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IPP034NE7N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:6,074(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥19.2891
192.891
100
¥16.7466
1674.66
250
¥15.8313
3957.825
500
¥14.2154
7107.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
150 S, 75 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
85 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP34NE7N3GXK SP000641724
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-23 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:122195
晶体管
MOSFET 400V 25Ohm
1:¥10.3734
10:¥10.2152
25:¥8.6106
100:¥7.8422
参考库存:9922
晶体管
MOSFET NCH+NCH 6A 24V 2.5V DRIVE
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
参考库存:42859
晶体管
MOSFET 30/20V Nch PowerTrench
1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
3,000:¥1.9097
参考库存:17421
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥10.8367
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:8743
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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