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晶体管
STP18NM60ND参考图片

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STP18NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDMesh II
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库存:8,874(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.1939
36.1939
10
¥30.736
307.36
100
¥26.668
2666.8
250
¥25.2781
6319.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
封装
Tube
系列
STP18NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3
1:¥4.7686
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0566
4,000:¥2.0566
参考库存:27683
晶体管
MOSFET P-Ch -60V 150mA SOT-323-3
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:849475
晶体管
MOSFET 600V N-Chl MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5936
500:¥6.7122
参考库存:4422
晶体管
IGBT 晶体管 35A 1200V N-Ch
1:¥27.8206
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.436
参考库存:8049
晶体管
MOSFET MOSFET, 40V, 118A, 3 62 nC Qg, TO-220AB
1:¥11.9893
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.1416
1,000:¥5.9212
参考库存:9131
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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