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晶体管
STGWT60H65FB参考图片

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STGWT60H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
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库存:6,400(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT60H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
8,000:¥0.50737
24,000:查看
参考库存:69912
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 1.7mW
1:¥66.6926
10:¥54.7146
100:¥45.4147
500:¥41.3354
参考库存:4394
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.8992
800:¥13.6052
2,400:查看
参考库存:7806
晶体管
JFET N-Channel Silicon JFET-Transistor
1:¥61.698
10:¥50.5562
100:¥41.9569
500:¥38.2618
参考库存:4398
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR NPN
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:43180
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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