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晶体管
FP25R12U1T4参考图片

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FP25R12U1T4

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库存:1,779(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥577.2944
577.2944
5
¥566.695
2833.475
10
¥552.0163
5520.163
25
¥541.2587
13531.4675
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
PIM 3-Phase Input Rectifier
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
39 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
190 W
封装 / 箱体
SmartPIM1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
系列
IGBT4
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FP25R12U1T4BPSA1 SP000663674
单位重量
34 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V N Channel Power Trench MosFET
1:¥7.9891
10:¥6.7574
100:¥5.198
500:¥4.5878
3,000:¥3.2092
9,000:查看
参考库存:58578
晶体管
MOSFET 40V 15A AEC-Q101 Qualified
1:¥10.2943
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.6274
1,000:¥4.4409
3,000:¥4.4409
参考库存:43515
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:7037
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
1:¥522.6702
10:¥494.4654
25:¥480.4082
50:¥473.3344
参考库存:2594
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
1:¥531.1226
参考库存:2611
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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