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晶体管
DMN66D0LT-7参考图片

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DMN66D0LT-7

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库存:19,473(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
115 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN66
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.8 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
2 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD024
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥5.989
500:¥5.1528
参考库存:21177
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
参考库存:26629
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9Z10
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.8591
1,000:¥5.4127
参考库存:9856
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:150953
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥5.6048
10:¥4.6104
100:¥2.9719
1,000:¥2.3843
2,500:¥2.0114
参考库存:27900
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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