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晶体管
FP25R12KT4_B15参考图片

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FP25R12KT4_B15

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库存:2,950(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥510.986
510.986
5
¥501.607
2508.035
10
¥488.6233
4886.233
25
¥479.0183
11975.4575
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
160 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
系列
IGBT4
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FP25R12KT4B15BOSA1 SP000808002
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NX138BK/TO-236AB/REEL 7" Q3/T4
1:¥1.4577
10:¥1.3221
100:¥0.46895
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:29311
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
2,500:¥7.7631
5,000:查看
参考库存:49463
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.9043
3,000:¥6.9043
参考库存:44895
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3
1:¥36.499
10:¥30.962
100:¥26.894
250:¥25.5154
500:¥22.8938
参考库存:2917
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥413.0941
5:¥390.7314
10:¥386.2792
25:¥357.2269
参考库存:1999
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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