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晶体管
DF150R12RT4参考图片

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DF150R12RT4

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库存:3,059(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥417.7836
417.7836
5
¥408.4046
2042.023
10
¥392.4942
3924.942
25
¥379.8156
9495.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
790 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
DF150R12RT4HOSA1 SP000711868
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1700V
1:¥1,327.2528
5:¥1,295.3642
10:¥1,263.1705
25:¥1,245.4973
参考库存:4942
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
3,000:¥12.8368
6,000:查看
参考库存:19904
晶体管
MOSFET
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
500:¥15.0629
参考库存:6871
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥5.2997
10:¥4.4296
100:¥2.8589
1,000:¥2.2939
参考库存:13608
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
1:¥9.605
10:¥8.1473
100:¥6.3054
500:¥5.5822
5,000:¥3.8985
10,000:查看
参考库存:29910
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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