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晶体管
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IRG4PC50UDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
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库存：13,233(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥68.3876
68.3876
10
¥61.7771
617.771
25
¥58.9408
1473.52
100
¥51.1777
5117.77
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001536024
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP45N10F7
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:13522
MX2N4392
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥430.7673
参考库存:58261
STD10P10F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
2,500:¥2.7685
参考库存:32479
BSM30GD60DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 30A 3-PHASE
10:¥584.7524
30:¥565.2373
100:¥526.2749
参考库存:58268
STF18NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
1:¥17.5941
10:¥14.9047
100:¥11.9893
500:¥10.4525
1,000:¥8.6784
参考库存:13536

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    50万现货SKU

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